一种高介电常数聚偏氟乙烯及其制备方法和应用

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专利状态

一种高介电常数聚偏氟乙烯及其制备方法和应用

有效

专利申请进度

申请

2017-11-20

申请公布

2019-05-28

授权

2020-05-01

预估到期

2037-11-20

专利基础信息

申请号	CN201711158800.6	申请日	2017-11-20
申请公布号	CN109810212A	申请公布日	2019-05-28
授权公布号	CN109810212B	授权公告日	2020-05-01
分类号	C08F114/22;C08F214/22;C08F214/18;C08F214/24;C08F2/38;C08F4/34;C08F2/30;C08F2/28
分类	有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物;
申请人名称	中昊晨光化工研究院有限公司
申请人地址	四川省自贡市富顺县晨光路135号

专利法律状态

2020-05-01

授权

状态信息

授权
2019-06-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C08F 114/22
2019-05-28

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及有机化学材料技术领域，具体涉及一种高介电常数聚偏氟乙烯及其制备方法。所述制备方法步骤包括：是将偏氟乙烯与氟烯烃或偏氟乙烯单体在引发剂、链转移剂、pH调节剂存在下发生聚合反应；所述氟烯烃为三氟乙烯、三氟氯乙烯、二氟氯乙烯及四氟乙烯中的一种；所述引发剂为有机过氧化物，所述的有机过氧化物为二异丙苯过氧化物、异丙苯过氧化氢、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酸叔丁酯和叔丁基过氧化氢中的一种。按照本发明所述制备方法所制得聚偏氟乙烯树脂结晶度低，高度不规整链段，高β相型聚合物等性能，其制品在电子装置，储能容器，传感器中呈现出优异的电性能。

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