一种抗电磁干扰的负离子发生电路

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专利状态

一种抗电磁干扰的负离子发生电路

有效

专利申请进度

申请

2014-07-04

授权

2014-12-10

预估到期

2024-07-04

专利基础信息

申请号	CN201420367655.8	申请日	2014-07-04
授权公布号	CN204013239U	授权公告日	2014-12-10
分类号	H02M5/257;H02M5/10;H02M1/44;H01T23/00
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	成都彩虹电器（集团）股份有限公司
申请人地址	四川省成都市武侯大道顺江段73号

专利法律状态

2014-12-10

授权

状态信息

授权

摘要

一种抗电磁干扰的负离子发生电路，包括一个抗干扰电容，低压部分，变压器，高压部分。其特征在于，低压部分采用过零触发电路；在电源输入端的零线和相线之间并联一个抗干扰电容，用于消除高压脉冲产生的电磁干扰；在变压器次级并联一只高反压二极管，用于消除高压输出部分的正电压，大量提高负氧离子发生量。使用本实用新型可以有效消除电磁干扰，大幅提高负氧离子的发生量，并且降低开关器件的功率损耗，使负载杂波变小，减少对电路的污染。

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