非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签

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专利状态

非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签

有效

专利申请进度

申请

2017-01-20

授权

2017-08-25

预估到期

2027-01-20

专利基础信息

申请号	CN201720070415.5	申请日	2017-01-20
授权公布号	CN206441540U	授权公告日	2017-08-25
分类号	G11C16/06
分类	信息存储;
申请人名称	深圳市远望谷信息技术股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新技术产业园南区T2-B栋3层

专利法律状态

2017-08-25

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种非易失性存储结构，包括两个控制场效应管、两个隧穿场效应管和两个浮栅场效应管；第一或第二控制场效应管、第一或第二隧穿场效应管和第一或第二浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第一浮栅或第二浮栅；两个控制场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起后并接在数据输入端；两个隧穿场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起后并接在隧穿电压输入端；所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的源极和漏极分别连接在读使能信号输入端和数据输出端。本实用新型还涉及存储单元、存储器及电子标签。实施本实用新型的非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签，具有以下有益效果：其数据保持能力较强，抗干扰能力也较强。

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