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专利状态

平板式PECVD装置

有效

专利申请进度

申请

2013-01-23

申请公布

2013-04-24

授权

2015-03-11

预估到期

2033-01-23

专利基础信息

申请号	CN201310024830.3	申请日	2013-01-23
申请公布号	CN103060778A	申请公布日	2013-04-24
授权公布号	CN103060778B	授权公告日	2015-03-11
分类号	C23C16/505
分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称	深圳市劲拓自动化设备股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市宝安区石岩街道水田社区祝龙田北路8号劲拓高新技术中心二单元4层

专利法律状态

2023-11-24

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):C23C 16/505；专利号:ZL2013100248303；登记生效日:20231108；变更事项:专利权人；变更前权利人:深圳市劲拓自动化设备股份有限公司；变更后权利人:深圳市思立康技术有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:518000 广东省深圳市宝安区西乡街道广深高速公路北侧鹤洲工业区劲拓自动化工业厂区；变更后权利人:518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田社区祝龙田北路8号劲拓高新技术中心二单元4层
2015-03-11

授权

状态信息

授权
2013-05-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C23C16/505；申请日:20130123
2013-04-24

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例公开了一种平板式PECVD装置，包括：用于容置工件的真空腔体和设于真空腔体上方的等离子发射器，等离子发射器包括与真空腔体固定的发射盒、设于发射盒上方的射频阻抗匹配器，发射盒的下方联接有介质窗，发射盒的上方固定设有与射频阻抗匹配器联接的天线体，天线体包括置于发射盒内的天线及用于联接天线与射频阻抗匹配器的连接端头；射频阻抗匹配器外接有射频电源；真空腔体上固设有工艺气体进气管，真空腔体上方设有与发射盒对应的安装槽。本发明具有稳定、安全、能量适中的射频电源，使等离子体受控的铜天线，独特的工艺气体进气方式，能够沉积出具有均匀、致密、无污染等优良性能的氮化硅薄膜之类的工件。

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