WO3纳米片及其制备方法和气敏传感器

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专利状态

WO3纳米片及其制备方法和气敏传感器

有效

专利申请进度

申请

2020-04-10

申请公布

2021-10-19

授权

2024-03-22

预估到期

2040-04-10

专利基础信息

申请号	CN202010281578.4	申请日	2020-04-10
申请公布号	CN113511684A	申请公布日	2021-10-19
授权公布号	CN113511684B	授权公告日	2024-03-22
分类号	C01G41/02;B82Y40/00;G01N27/12
分类	无机化学;
申请人名称	中国石油化工股份有限公司
申请人地址	北京市朝阳区朝阳门北大街22号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2024-03-15

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):C01G41/02；登记生效日:20240228；变更事项:申请人；变更前:中国石油化工股份有限公司；变更后:中国石油化工股份有限公司；变更事项:国家或地区；变更前:中国；变更后:中国；变更事项:地址；变更前:100728 北京市朝阳区朝阳门北大街22号；变更后:100728 北京市朝阳区朝阳门北大街22号；变更事项:申请人；变更前:中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院；变更后:中石化安全工程研究院有限公司；变更事项:国家或地区；变更前:中国；变更后:中国
2021-11-05

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C01G41/02；申请日:20200410
2021-10-19

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及气敏材料领域，公开了一种WO3纳米片及其制备方法和气敏传感器。本发明的WO3纳米片的制备方法包括：1）在碳原子数为6‑10的有机烷烃溶剂存在下，使碳原子数为7‑10的有机胺和钨酸进行第一接触反应，得到第一接触反应后的产物；2）使步骤1）得到的第一接触反应后的产物与无机酸进行第二接触反应，得到H2WO4纳米片；3）将所述H2WO4纳米片进行煅烧，得到WO3纳米片。该方法制备得到的WO3纳米片用作气敏材料时，其抗湿性能十分优异，并且该方法简单，能够实现宏量制备WO3纳米片。

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