卤素制冷剂检测传感器敏感材料及气敏元件的制造方法

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专利状态

卤素制冷剂检测传感器敏感材料及气敏元件的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2008-09-02

申请公布

2009-02-18

授权

2011-10-12

预估到期

2028-09-02

专利基础信息

申请号	CN200810195806.5	申请日	2008-09-02
申请公布号	CN101368930A	申请公布日	2009-02-18
授权公布号	CN101368930B	授权公告日	2011-10-12
分类号	G01N27/407
分类	测量；测试;
申请人名称	江苏省精创电气股份有限公司
申请人地址	江苏省徐州市铜山区黄山路1号

专利法律状态

2015-08-26

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):G01N27/407；变更事项:专利权人；变更前:徐州市精英电器技术有限公司；变更后:江苏省精创电气股份有限公司；变更事项:地址；变更前:221116 江苏省徐州市铜山新区黄山路1号；变更后:221000 江苏省徐州市铜山区黄山路1号
2011-10-12

授权

状态信息

授权
2009-04-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2009-02-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种卤素制冷剂检测传感器敏感材料及其气敏元件制备方法，敏感材料分为两层，内层组分为SnO2纳米材料；外层材料为负载有Pd量子点的介孔SiO2。首先将SnO2纳米粉体研磨后以适量去离子水调成糊状，均匀涂敷在厚膜元件表面，经过500℃退火处理2小时，元件表面均匀涂敷负载有0.1％-1％Pd量子点的介孔SiO2增敏材料，再次经过500℃退火处理2小时，制得气敏元件。最后按厚膜半导体气敏元件制作工艺对气敏元件进行焊接、老化、封装、制得制冷剂R134a检测传感器元件。本发明制得的气敏元件在卤素制冷剂检测中具有灵敏度高，稳定性好、响应恢复时间短的优点，可用于卤素制冷剂的检漏或检测领域。

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