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专利状态
磁控溅射镀膜固定装置
有效
专利申请进度
申请
2019-11-07
授权
2020-02-07
预估到期
2029-11-07
专利基础信息
申请号 CN201920525047.8 申请日 2019-11-07
授权公布号 CN210030876U 授权公告日 2020-02-07
分类号 C23C14/35
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 广东东华光电科技有限公司
申请人地址 广东省东莞市厚街镇汀山广场北三路3号
专利法律状态
  • 2021-07-23
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更
    状态信息
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更;IPC(主分类):C23C14/35;变更事项:专利权人;变更前:广东东华光电科技有限公司;变更后:广东东华光电科技有限公司;变更事项:地址;变更前:523000 广东省东莞市厚街镇汀山村坑口工业区;变更后:523000 广东省东莞市厚街镇汀山广场北三路3号
  • 2020-06-12
    专利权质押合同登记的生效、变更及注销
    状态信息
    专利权质押合同登记的生效;IPC(主分类):C23C14/35;登记号:Y2020980002302;登记生效日:20200519;出质人:广东东华光电科技有限公司;质权人:中国建设银行股份有限公司东莞市分行;实用新型名称:磁控溅射镀膜固定装置;申请日:20191107;授权公告日:20200207
  • 2020-02-07
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型公开了磁控溅射镀膜固定装置,主体,工件架,所述主体内成型有第一空腔,所述工件架竖直固定于第一空腔内,工件架顶部与第一空腔顶部连接,工件架底部与第一空腔底部连接,所述主体右侧竖直设有主体门,主体门左侧与主体右侧连接,所述主体门左侧壁竖直固定有磁控靶固定块,磁控靶固定块右侧与主体门左侧壁连接,磁控靶固定块内成型有第二空腔,磁控靶固定块中两侧成型有遮挡部,且磁控靶固定块左侧设有开口,开口贯通与第二空腔内,所述第二空腔内竖直固定有磁控靶,磁控靶外左侧上端固定有第一溅射区,磁控靶外左侧下端固定有第二溅射区。