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专利状态
一种高精度半导体晶片背切平台
有效
专利申请进度
申请
2021-11-24
授权
2022-06-07
预估到期
2031-11-24
专利基础信息
申请号 CN202122890777.8 申请日 2021-11-24
授权公布号 CN216698321U 授权公告日 2022-06-07
分类号 H01L21/68;H01L21/304;H01L21/67
分类 基本电气元件;
申请人名称 苏州迅镭激光科技有限公司
申请人地址 江苏省苏州市工业园区娄葑镇东富路58号
专利法律状态
  • 2022-06-07
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型公开了一种高精度半导体晶片背切平台,涉及一种平台领域,包括大理石台,大理石台的上端面上设置有X轴直线电机,X轴直线电机的上方设置有Y轴直线电机,Y轴直线电机的上方设置有直驱旋转平台,直驱旋转平台上固定连接有吸附工装治具,吸附工装治具的中心为透明的;大理石台为中空的,大理石台的中空位置处设置有固定架,固定架上设置有精密相机,精密相机可照射到吸附工装治具上的产品。本实用新型中精密相机能够定位mark点或切割轨迹,根据指令进行X轴移动、Y轴移动和精密转动,保证划线精度,本实用新型采用闭环控制,通用性强,稳定性高,石英玻璃的材质,更优秀的透光性和耐磨性,满足划片机的划痕深度要求。