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专利状态
记忆体辅助热传结构
有效
专利申请进度
申请
2020-01-03
授权
2020-08-11
预估到期
2030-01-03
专利基础信息
申请号 CN202020013937.3 申请日 2020-01-03
授权公布号 CN211238229U 授权公告日 2020-08-11
分类号 H01L23/473
分类 基本电气元件;
申请人名称 深圳兴奇宏科技有限公司
申请人地址 广东省深圳市宝安区沙井街道辛养社区西部工业园
专利法律状态
  • 2020-08-11
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型提供一种记忆体辅助热传结构,与至少一记忆体单元及一水冷组件对应组设,该记忆体辅助热传结构,包含:一本体具有一第一端及一第二端及一中间段,所述中间段具有一受热侧及一接触侧,该受热侧与该记忆体单元上所设的至少一芯片对应设置,所述接触侧与该水冷组件贴合组设,通过本实用新型的结构可减少记忆体单元与水冷组件间的摩擦以及填补间隙降低热阻现象的发生。