一种IGBT过温保护方法、系统、装置及存储介质

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专利状态

一种IGBT过温保护方法、系统、装置及存储介质

有效

专利申请进度

申请

2020-12-23

申请公布

2021-04-16

授权

2023-03-24

预估到期

2040-12-23

专利基础信息

申请号	CN202011541614.2	申请日	2020-12-23
申请公布号	CN112670962A	申请公布日	2021-04-16
授权公布号	CN112670962B	授权公告日	2023-03-24
分类号	H02H7/22;H02H5/04
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	日立楼宇技术（广州）有限公司
申请人地址	广东省广州市高新技术产业开发区科学城南翔三路2号

专利法律状态

2023-03-24

授权

状态信息

授权
2021-04-16

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种IGBT过温保护方法、系统、装置及存储介质。本申请实施例中的IGBT过温保护方法，检测IGBT模组的壳温；根据所述IGBT模组的热电耦合模型，确定所述IGBT模组的热阻抗；根据所述IGBT模组的热阻抗和损耗，建立所述IGBT模组的内外温差的关系模型；所述内外温差用于表征所述IGBT模组的结温与所述壳温的差值；根据所述关系模型，确定所述IGBT模组的结温；当所述结温超过预设的温度阈值，启动所述IGBT模组的过温保护。该方法在对IGBT模组进行过温保护时，能够更为精确地确定出启动过温保护的时机，有利于提高IGBT模组工作的稳定性。本申请可广泛应用于电子开关技术领域内。

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