散热片、MOS管的焊接结构及通信设备

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专利状态

散热片、MOS管的焊接结构及通信设备

有效

专利申请进度

申请

2022-06-14

授权

2023-02-10

预估到期

2032-06-14

专利基础信息

申请号	CN202221486500.7	申请日	2022-06-14
授权公布号	CN218473661U	授权公告日	2023-02-10
分类号	H05K7/20;H05K3/34
分类	其他类目不包含的电技术;
申请人名称	海能达通信股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新区北区北环路9108号海能达大厦

专利法律状态

2023-02-10

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种散热片、MOS管的焊接结构及通信设备，散热片上设有贴装区，贴装区上设置的凹槽，凹槽供焊片放置，以让熔化的焊片将MOS管焊接在散热片上，凹槽的外形尺寸大于焊片的外形尺寸，凹槽的深度不大于焊片的厚度。MOS管采用这种焊接结构和焊接工艺能在不提高生产设备成本的情况下进一步降低MOS管的空泡率，提升产品的可靠性以及竞争力。该方案能做到SMT贴片的空洞率不超过15％，单个气泡空洞率不超过5％，进一步提升产品的散热性能。

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