一种双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路

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专利状态

一种双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路

有效

专利申请进度

申请

2016-12-26

授权

2017-07-18

预估到期

2026-12-26

专利基础信息

申请号	CN201621436350.3	申请日	2016-12-26
授权公布号	CN206341134U	授权公告日	2017-07-18
分类号	H02M1/08
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	常州市创联电源科技股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市钟楼经济开发区童子河西路8号

专利法律状态

2017-07-18

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路，包括控制芯片U1、隔直电容C1和电阻R1；控制芯片U1与隔直电容C1的一端电连接；其结构特点是：还包括浮地驱动变压器T2；浮地驱动变压器T2具有磁芯、原边绕组和副边绕组；浮地驱动变压器T2的磁芯设有气隙；隔直电容C1的另一端与浮地驱动变压器T2的原边绕组正极接线端电连接；浮地驱动变压器T2的副边绕组正极接线端与电阻R1的一端电连接；安装时，电阻R1的另一端与开关电源电路中需要浮地驱动的第一输入MOS管Q1的栅极电连接。本实用新型结构简单、体积较小、易于安装、使用时能够有效满足浮地设置的输入MOS管大电流驱动需要且驱动波形理想。

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