一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法

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专利状态

一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法

有效

专利申请进度

申请

2018-12-26

申请公布

2020-07-03

授权

2023-08-08

预估到期

2038-12-26

专利基础信息

申请号	CN201811605164.1	申请日	2018-12-26
申请公布号	CN111371430A	申请公布日	2020-07-03
授权公布号	CN111371430B	授权公告日	2023-08-08
分类号	H03H11/16
分类	基本电子电路;
申请人名称	深圳市中兴微电子技术有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区西丽街道留仙大道中兴工业园

专利法律状态

2023-08-08

授权

状态信息

授权
2021-08-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H03H11/16；申请日:20181226
2020-07-03

公布

状态信息

公布

摘要

一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法。包括：通过第一电流源对第一基准输入激励进行调节后，经过第一矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第一栅宽控制电路，经过第一栅宽控制电路的调节后，生成第一输出信号；通过第二电流源对第二基准输入激励进行调节后；经过第二矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第二栅宽控制电路，经过第二栅宽控制电路的调节后，生成第一输出信号；对所述第一输出信号和所述第二输出信号进行矢量合成。本申请能够在保证移相器增益恒定的同时，大幅降低矢量合成器功耗，同时减小了相移值对于电路失配的敏感度，提高了移相器的移相精度。

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