一种芯片内部基准电压标定方法及装置

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专利状态

一种芯片内部基准电压标定方法及装置

有效

专利申请进度

申请

2020-02-26

申请公布

2020-06-09

授权

2022-06-17

预估到期

2040-02-26

专利基础信息

申请号	CN202010119572.7	申请日	2020-02-26
申请公布号	CN111257626A	申请公布日	2020-06-09
授权公布号	CN111257626B	授权公告日	2022-06-17
分类号	G01R19/25;H03M1/34
分类	测量；测试;
申请人名称	深圳市元征科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙岗区坂田街道五和大道北4012元征工业园

专利法律状态

2022-06-17

授权

状态信息

授权
2020-06-09

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种芯片内部基准电压标定方法及装置，该方法包括：通过AD参考源接口获取烧录装置提供的参考电压的模拟量；获取预烧录在芯片中的电压信息，电压信息包括参考电压的电压值；获取AD转换器的最大输出数字量，最大输出数字量由AD转换器的位数决定；基于参考电压的模拟量，对芯片内部的基准电压进行模数转换得到基准电压对应的数字量；根据参考电压的电压值、最大输出数字量和基准电压对应的数字量计算基准电压的电压值；存储基准电压的电压值。实施本申请实施例能够实现芯片内部基准电压的标定，减小了因芯片工艺差异性所带来的AD转换器的测量误差，减少了实施成本。

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