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专利状态
一种用于LED芯片的巨量转移方法
有效
专利申请进度
申请
2021-03-01
申请公布
2021-06-29
授权
2022-04-22
预估到期
2041-03-01
专利基础信息
申请号
CN202110226801.X
申请日
2021-03-01
申请公布号
CN113054074A
申请公布日
2021-06-29
授权公布号
CN113054074B
授权公告日
2022-04-22
分类号
H01L33/48;H01L25/16;H01L21/78;H01L21/683
分类
基本电气元件;
申请人名称
康佳集团股份有限公司
申请人地址
广东省深圳市南山区粤海街道科技园科技南十二路28号康佳研发大厦15-24层
专利法律状态
2022-04-22
授权
状态信息
授权
2021-06-29
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种用于LED芯片的巨量转移方法,包括:提供第一衬底,在所述第一衬底上设置LED芯片,使所述LED芯片的电极背离所述第一衬底设置;在所述第一衬底背向所述LED芯片的一面刻蚀形成LED微结构;提供一驱动基板,将蚀刻完成的所述LED芯片与所述驱动基板对位,所述LED芯片的电极朝向所述驱动基板;将所述LED微结构断裂;所述LED芯片转移至所述驱动基板。解决了现有技术中LED微结构巨量转移的良率低和效率低的问题。
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