一种MicroLED芯片以及生长基板

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专利状态

一种MicroLED芯片以及生长基板

有效

专利申请进度

申请

2022-06-22

授权

2022-11-29

预估到期

2032-06-22

专利基础信息

申请号	CN202221579457.9	申请日	2022-06-22
授权公布号	CN217933826U	授权公告日	2022-11-29
分类号	H01L33/36;H01L33/06;H01L27/15
分类	基本电气元件;
申请人名称	康佳集团股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区粤海街道科技园科技南十二路28号康佳研发大厦15-24层

专利法律状态

2022-11-29

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种Micro LED芯片以及生长基板，其中，所述Micro LED芯片包括N型材料层、N型电极层、若干个多量子阱层、若干个P型材料层和若干个P型电极层，若干个所述多量子阱层阵列排布于所述N型材料层上；所述P型材料层设于所述多量子阱层上；所述P型电极层设于所述P型材料层上；所述N型电极层设于所述N型材料层上。本申请公开的Micro LED芯片将若干个多量子阱层都设置在N型材料层上，并且在N型材料层上设置N型电极层，使单个芯片上的多量子阱发光结构共用一个N电极，从而节省芯片尺寸，有利于减小Micro LED芯片的体积，以达到Micro LED显示技术的高像素数量的要求。

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