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专利状态
一种多晶硅还原炉
有效
专利申请进度
申请
2023-03-14
授权
2023-12-29
预估到期
2033-03-14
专利基础信息
申请号 CN202320486585.7 申请日 2023-03-14
授权公布号 CN220265284U 授权公告日 2023-12-29
分类号 C01B33/021
分类 无机化学;
申请人名称 天合光能股份有限公司
申请人地址 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
专利法律状态
  • 2023-12-29
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本公开提供一种多晶硅还原炉,所述多晶硅还原炉包括底盘和钟罩,所述钟罩设置在所述底盘上,形成还原炉腔,所述底盘包形成有多个进气孔、多个出气孔和多个电极孔,所述进气孔、所述出气孔、所述电极孔均沿所述底盘的厚度方向贯穿所述底盘,其中,在从所述底盘的中心至所述底盘的边缘的方向上,多个所述电极孔排成多个圈,多个所述出气孔设置在最外围的一圈所述电极孔与所述底盘的外边缘之间,多个所述进气孔位于最外围的一圈所述电极孔所围成的圈的内部。