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专利状态
光伏电池及其电池结构
有效
专利申请进度
申请
2023-04-03
授权
2024-01-09
预估到期
2033-04-03
专利基础信息
申请号 CN202320710676.4 申请日 2023-04-03
授权公布号 CN220324466U 授权公告日 2024-01-09
分类号 H01L31/0216;H01L31/0312
分类 基本电气元件;
申请人名称 天合光能股份有限公司
申请人地址 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
专利法律状态
  • 2024-01-09
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本申请提供一种光伏电池及其电池结构,电池结构包括基底层,基底层的第一表面覆盖有发射极层,发射极层远离基底层的一侧覆盖有第一隧穿氧化层,第一隧穿氧化层远离发射极层的一侧设有第一掺杂层;基底层的第二表面覆盖有第二隧穿氧化层,第二隧穿氧化层远离基底层的一侧设有第二掺杂层;第二掺杂层为碳化硅掺杂层。电池结构采用双面钝化结构,其第一表面采用碳化硅掺杂层。氢化退火过程中,碳化硅掺杂层会生成碳氢键,碳氢键的稳定性高于硅氢键,因而能够提高电池结构在氢化退火过程中的稳定性。另外,碳化硅掺杂层在短波长的外量子效率高于传统的多晶硅结构电池,有助于提高发电效率。