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专利状态
离子溅射仪
有效
专利申请进度
申请
2018-10-23
授权
2019-08-02
预估到期
2028-10-23
专利基础信息
申请号 CN201821721176.6 申请日 2018-10-23
授权公布号 CN209194043U 授权公告日 2019-08-02
分类号 C23C14/34;C23C14/50
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 欣旺达电子股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市光明新区公明街道塘家南十八号路欣旺达工业园A栋1-2楼
专利法律状态
  • 2023-09-08
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更
    状态信息
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更;IPC(主分类):C23C 14/34;专利号:ZL2018217211766;变更事项:专利权人;变更前:欣旺达电动汽车电池有限公司;变更后:欣旺达动力科技股份有限公司;变更事项:地址;变更前:518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家南十八号路欣旺达工业园A栋1-2楼;变更后:518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家南十八号路欣旺达工业园A栋1-2楼
  • 2023-07-18
    专利申请权、专利权的转移
    状态信息
    专利权的转移;IPC(主分类):C23C14/34;登记生效日:20230706;变更事项:专利权人;变更前:欣旺达电子股份有限公司;变更后:欣旺达电动汽车电池有限公司;变更事项:地址;变更前:518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区颐和路2号综合楼1楼、2楼A.B区、2楼D区.9楼;变更后:518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家南十八号路欣旺达工业园A栋1.2楼
  • 2019-08-02
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型提供一种离子溅射仪,包括离子溅射仪本体和设置于离子溅射仪本体内的自动旋转样品架,自动旋转样品架用于在离子溅射仪本体对样品进行溅射镀膜时支撑并旋转样品。本实用新型提供的离子溅射仪,通过在离子溅射仪本体上设置自动旋转样品架,实现离子溅射仪对样品进行喷镀的同时,对样品进行旋转,进而实现对样品进行全面地、均匀地喷镀,避免了因喷镀不均匀或局部喷镀不到位,而需进行重复喷镀,造成不必要的浪费,降低了对靶头的消耗。