一种功率半导体器件_专利查询-品牌网

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专利状态

一种功率半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2022-09-30

授权

2023-01-17

预估到期

2032-09-30

专利基础信息

申请号	CN202222654929.9	申请日	2022-09-30
授权公布号	CN218333799U	授权公告日	2023-01-17
分类号	H01L25/07;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/49
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市禾望电气股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市福田区沙头街道天安社区滨河路与香蜜湖路交汇处天安创新科技广场（二期）六层西座609室

专利法律状态

2023-01-17

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括焊接于金属件主体上的宽禁带MOS芯片组，宽禁带MOS芯片组包括至少两个宽禁带MOS芯片，所有宽禁带MOS芯片相互并联在一起，各个宽禁带MOS芯片并联后的源极连接于器件封装主体的主体源极，各个宽禁带MOS芯片并联后的栅极连接于器件封装主体的主体栅极，各个宽禁带MOS芯片并联后的漏极与金属件主体导通并通过金属件主体连接至所述主体漏极，所述主体源极及所述主体栅极与所述金属件主体之间进行绝缘处理；该功率半导体器件内部采用多个相对小的宽禁带MOS芯片并联，在实现同样的电流情况下减小芯片的占用面积，提高芯片加工及器件封装的良率，降低器件成本。

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