一种带内部循环回流均温板的功率半导体模块

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专利状态

一种带内部循环回流均温板的功率半导体模块

有效

专利申请进度

申请

2022-10-18

授权

2023-04-28

预估到期

2032-10-18

专利基础信息

申请号	CN202222750380.3	申请日	2022-10-18
授权公布号	CN218939651U	授权公告日	2023-04-28
分类号	H01L23/367;H01L23/40
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市禾望电气股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市福田区沙头街道天安社区滨河路与香蜜湖路交汇处天安创新科技广场（二期）六层西座609室

专利法律状态

2023-04-28

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种带内部循环回流均温板的功率半导体模块，包括功率模块主体构件、设置于所述功率模块主体构件下部的内部循环回流均温板及容置于所述功率模块主体构件内部的IGBT芯片、第一焊锡层、上层敷铜、DCB基板、下层敷铜、第二焊锡层，所述IGBT芯片底部通过第一焊锡层与上层敷铜相连，所述DCB基板分别与上层敷铜和下层敷铜相连，所述下层敷铜通过焊锡层与所述内部循环回流均温板相连；该带内部循环回流均温板的功率半导体模块可以将IGBT芯片产生的热损耗更好地传递到外部的散热器，可以降低内部芯片的温度，均衡地进行整个散热循环，提高芯片的出流能力。

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