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专利状态

一种单管IGBT安装结构

有效

专利申请进度

申请

2021-08-02

授权

2021-12-31

预估到期

2031-08-02

专利基础信息

申请号	CN202121781155.5	申请日	2021-08-02
授权公布号	CN215378783U	授权公告日	2021-12-31
分类号	H02M7/537;H05K7/20
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	成都华远电器设备有限公司
申请人地址	四川省成都市武侯区武侯科技园武兴四路5号

专利法律状态

2021-12-31

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种单管IGBT安装结构，涉及半导体技术领域，解决了现有技术中应安装方式带来的产品的可靠性低的问题，其技术方案要点是：用于将所述单管IGBT安装在散热器上，所述单管IGBT安装结构包括：安装架，所述安装架上设置有用于确定所述散热器位置的固定槽、用于固定所述散热器的安装孔以及用于固定所述单管IGBT的IGBT安装槽口。本实用新型优化安装方式，减少IGBT虚焊、错焊的几率，提高安装速度，增加IGBT的输出功率，使得产品可靠性大大提高。

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