一种快速的大功率SiCMOSFET短路故障检测电路及检测方法

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专利状态

一种快速的大功率SiCMOSFET短路故障检测电路及检测方法

有效

专利申请进度

申请

2021-02-01

申请公布

2021-06-11

授权

2023-05-12

预估到期

2041-02-01

专利基础信息

申请号	CN202110136021.6	申请日	2021-02-01
申请公布号	CN112946517A	申请公布日	2021-06-11
授权公布号	CN112946517B	授权公告日	2023-05-12
分类号	G01R31/52;G01R31/26
分类	测量；测试;
申请人名称	南京南瑞继保电气有限公司
申请人地址	江苏省南京市江宁区苏源大道69号

专利法律状态

2023-05-12

授权

状态信息

授权
2021-06-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种快速的大功率SiC MOSFET短路故障检测电路及检测方法，检测电路包括门极电压变化率检测单元、门极电荷检测单元、漏极电压检测单元、逻辑控制单元。检测方法将逻辑控制单元检测SiC MOSFET是否发生短路故障分为开通暂态、开通稳态2个阶段；在开通暂态阶段，基于门极电压变化率检测单元和门极电荷检测单元识别米勒平台，并复用漏极电压检测单元实现硬开关短路故障HSF检测；在开通稳态阶段，基于漏极电压检测单元实现退饱和检测短路故障。本发明双重化的米勒平台识别方式，加之更宽的Qref取值范围提高了HSF短路故障检测可靠性，同时避免了因躲避时间tblank设置导致退饱和检测动作不及时问题，提高了检测短路故障的快速性。

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