一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法

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专利状态

一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法

有效

专利申请进度

申请

2022-06-29

申请公布

2022-10-18

授权

2023-08-22

预估到期

2042-06-29

专利基础信息

申请号	CN202210747489.3	申请日	2022-06-29
申请公布号	CN115198358A	申请公布日	2022-10-18
授权公布号	CN115198358B	授权公告日	2023-08-22
分类号	C30B29/04;C30B25/20;C30B25/14;B01J3/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	中南钻石有限公司
申请人地址	河南省南阳市方城县中南公司院内

专利法律状态

2023-08-22

授权

状态信息

授权
2022-10-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明属于大尺寸单晶金刚石制造工艺技术领域，具体涉及一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法。本发明的方法以大尺寸HPHT单晶片作为晶种，采用CVD法同质外延生长，通过控制生长初期的等离子刻蚀条件和CH4的添加方式，并合理设置CH4的添加浓度和保持时间，大幅度降低了HPHT单晶片表面因缺陷密度高易形成多晶杂质的概率，实现生长表面状态的顺利过渡，保证了结晶质量和生长时间。该方法直接解决大尺寸HPHT单晶片生长难度大的难题，而且经激光切割和抛光处理后，原HPHT单晶片和分离的CVD单晶片均可用于再次生长，重复利用率高，也证明了制备的CVD单晶片质量良好稳定，具有较高的发展前景和应用价值。

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