一种半导体制造设备的弱漏电压检测电路

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专利状态

一种半导体制造设备的弱漏电压检测电路

有效

专利申请进度

申请

2022-03-14

授权

2022-11-22

预估到期

2032-03-14

专利基础信息

申请号	CN202220553128.0	申请日	2022-03-14
授权公布号	CN217879570U	授权公告日	2022-11-22
分类号	G01R31/52;G01R19/25
分类	测量；测试;
申请人名称	深圳长城开发科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市福田区彩田路7006号

专利法律状态

2022-11-22

授权

状态信息

授权

摘要

一种半导体制造设备的弱漏电压检测电路，包括与半导体制造设备电连接采集其弱漏电压交流信号的漏电压连接线、分别与漏电压连接线连接的漏电压检测单元和漏电压连线断线检测单元，以及两个输入端分别连接漏电压检测单元和断线检测单元输出端的处理器单元以及分别与处理器单元的两个输出端连接的声音报警单元和光报警单元。将本实用新型的漏电压连接线连接半导体制造设备时，可实时监测半导体制造设备的弱漏电压情况，以利于将半导体制造设备的弱漏电压值控制在小于所述预设值的范围内以及及时发现连线断线的情况，保证检测准确无误。

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