一种模拟采样电路抗外部场强干扰的结构

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专利状态

一种模拟采样电路抗外部场强干扰的结构

有效

专利申请进度

申请

2019-08-14

申请公布

2019-11-29

授权

2021-01-08

预估到期

2039-08-14

专利基础信息

申请号	CN201910749473.4	申请日	2019-08-14
申请公布号	CN110519922A	申请公布日	2019-11-29
授权公布号	CN110519922B	授权公告日	2021-01-08
分类号	H05K1/18
分类	其他类目不包含的电技术;
申请人名称	杭州海兴电力科技股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市拱墅区莫干山路1418号（上城工业园区）

专利法律状态

2021-01-08

授权

状态信息

授权
2019-12-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H05K1/18；申请日:20190814
2019-11-29

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种模拟采样电路抗外部场强干扰的结构，包括，采样器件设置于PCB板上，模拟采样模块设置于PCB板上；信号线A和信号线B的两端分别与采样器件和模拟采样模块连接，所述信号线A和信号线B相互平行地嵌设在PCB板的两侧且在三维轴的Z轴上重叠，所述信号线A和信号线B在三维轴的X轴和Y轴上交叉走线，形成环路，从而抵消外部磁场对模拟采样电路采样操作带来的影响。本发明中的结构可以从X、Y、Z轴向抵消外部磁场对模拟采样电路采样操作带来的影响，同时避免了增加任何器件和生产步骤带来的麻烦，大幅提升了产品的可靠性，同时也不增加任何成本，非常适合大力的推广应用。

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