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专利状态

NandFlash脱机裸片烧程设备

有效

专利申请进度

申请

2021-01-05

授权

2021-09-14

预估到期

2031-01-05

专利基础信息

申请号	CN202120029278.7	申请日	2021-01-05
授权公布号	CN214202348U	授权公告日	2021-09-14
分类号	G06F8/61
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	杭州海兴电力科技股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市拱墅区莫干山路1418号（上城工业园区）

专利法律状态

2021-09-14

授权

状态信息

授权

摘要

本申请涉及一种NandFlash脱机裸片烧程设备，包括PCB板、电源供给装置和多个烧录单元，电源供给装置设置于PCB板上，多个烧录单元并列的设置于PCB板上，且每一个烧录单元均与电源供给装置电连接；烧录单元包括主芯片、NandFlash烧写座、拨码开关和NorFlash存储器，这四个元器件均焊接于PCB板上，且均与主芯片连接，NorFlash存储器包括第一存储器、第二存储器和第三存储器。本申请提供的NandFlash脱机裸片烧程设备可以实现脱机下的NandFlash裸片烧录，大大提高了生产效率，节省了人工成本，减少占用生产资源。该NandFlash脱机裸片烧程设备便携，不占用特定工位，便于维护，自主开发，降低公司易耗品采购成本。

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