Cu-SnO2单晶薄膜及其制备方法和应用

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专利状态

Cu-SnO2单晶薄膜及其制备方法和应用

有效

专利申请进度

申请

2021-11-30

申请公布

2022-03-04

授权

2023-07-25

预估到期

2041-11-30

专利基础信息

申请号	CN202111449351.7	申请日	2021-11-30
申请公布号	CN114134569A	申请公布日	2022-03-04
授权公布号	CN114134569B	授权公告日	2023-07-25
分类号	C30B29/16;C30B1/04;C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58;H01L29/872
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	广州金升阳科技有限公司
申请人地址	湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

专利法律状态

2023-07-25

授权

状态信息

授权
2022-03-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B29/16；申请日:20211130
2022-03-04

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种Cu‑SnO2单晶薄膜及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。本发明提供的Cu‑SnO2单晶薄膜的制备方法包括：制备Cu‑SnO2陶瓷靶材；提供一衬底，利用Cu‑SnO2陶瓷靶材在所述衬底表面制备Cu‑SnO2薄膜层；在氧气的气氛下，对Cu‑SnO2薄膜退火，最后对退火后的Cu‑SnO2薄膜进行O2等离子体处理。将本发明的Cu‑SnO2单晶薄膜作为半导体层制备肖特基二极管，可实现金属电极和二氧化锡单晶薄膜的肖特基接触，所设计的环形电极可通过调节两种金属电极的间距调节漏电流的大小，从而调节二极管的反向耐压值。本发明制备的Cu‑SnO2肖特基二极管具有高的肖特基势垒高度、良好整流特性和高的反向击穿电压。

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