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专利状态
一种提高金刚石基薄膜电阻附着力的方法
有效
专利申请进度
申请
2022-07-07
申请公布
2022-11-11
授权
2023-11-14
预估到期
2042-07-07
专利基础信息
申请号 CN202210794042.1 申请日 2022-07-07
申请公布号 CN115323318A 申请公布日 2022-11-11
授权公布号 CN115323318B 授权公告日 2023-11-14
分类号 C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 广东奔朗新材料股份有限公司
申请人地址 北京市海淀区学院路30号
专利法律状态
  • 2023-11-14
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-11-29
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):C23C14/02;申请日:20220707
  • 2022-11-11
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及电子元件技术领域,特别是指一种提高金刚石基薄膜电阻附着力的方法,包括以下步骤:S1、将CVD金刚石衬底进行研磨抛光处理;S2、然后再在感应耦合等离子体设备中进行氮等离子体轰击,以去除CVD金刚石表面吸附的氧原子并在晶格中并入氮原子,使其表面形成氮终端;S3、接着在CVD金刚石衬底上使用溅射方式制备TaN电阻薄膜;S4、最后进行真空原位退火处理。本发明的方法有效提高金刚石基底与TaN薄膜的附着力,具有化学性质稳定、界面导热率高、结合力强、附着力强等特点,可保障薄膜电阻元器件在高功率、高频率工况下长时间稳定工作,该方法可使其广泛应用于精度要求高的高端芯片和薄膜器件中。