一种磁通门芯片的制备方法

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专利状态

一种磁通门芯片的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-08

申请公布

2020-07-31

授权

2023-03-28

预估到期

2040-06-08

专利基础信息

申请号	CN202010509797.3	申请日	2020-06-08
申请公布号	CN111470470A	申请公布日	2020-07-31
授权公布号	CN111470470B	授权公告日	2023-03-28
分类号	B81C1/00;B81C3/00;G01R33/04
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	宁波中车时代传感技术有限公司
申请人地址	浙江省宁波市江北区振甬路138号

专利法律状态

2023-03-28

授权

状态信息

授权
2020-07-31

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种磁通门芯片的制备方法，属于磁通门传感器技术领域，包括：首先选取两片高阻硅片，其中一片表面电镀铁磁芯，另一片表面开设铁磁芯腔，然后两片高阻硅片上下键合，接着在两片高阻硅片的相对一侧表面分别开设线圈槽、通槽以及电极窗口，形成硅片模具，最后在硅片模具表面填充合金。本发明提供的一种磁通门芯片的制备方法，通过电镀，后键合，最后刻蚀，一方面，使得形成的磁通门芯片的厚度较薄，并满足足够的强度，另一方面能够实现磁通门芯片的大规模批量生产，提高工作效率，降低生产成本。

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