一种肟基有机硅化合物的制备方法

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专利状态

一种肟基有机硅化合物的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2012-01-05

申请公布

2012-07-04

授权

2015-07-15

预估到期

2032-01-05

专利基础信息

申请号	CN201210001598.7	申请日	2012-01-05
申请公布号	CN102532186A	申请公布日	2012-07-04
授权公布号	CN102532186B	授权公告日	2015-07-15
分类号	C07F7/18
分类	有机化学〔2〕;
申请人名称	北京天山新材料技术有限公司
申请人地址	北京市石景山区八大处高科技园区双园路5号

专利法律状态

2015-07-15

授权

状态信息

授权
2015-01-07

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):C07F7/18；变更事项:申请人；变更前:北京天山新材料技术股份有限公司；变更后:北京天山新材料技术有限公司；变更事项:地址；变更前:100041 北京市石景山区八大处高科技园区中园路7号；变更后:100041 北京市石景山区八大处高科技园区双园路5号
2012-09-05

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C07F7/18；申请日:20120105
2012-07-04

公布

状态信息

公布

摘要

本发明是一种肟基有机硅化合物的制备方法，包括步骤：1）加热R_aSi(OR¹)_4-a与HON（R²）（R³）组成的混合物；2）在减压的条件下脱除副产物；其中，R是由1到20个碳组成的直链、支链或环状的饱和或不饱和烷烃，芳烃或含其他取代基团的有机烃；R¹是有1到6个碳组成的烷烃，包括甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，异丁基，叔丁基；R²,R³是相同或不同的由0到10个碳组成的烷烃；a是0到3的整数。本制备过程不仅不会产生酸性物质，从而去除了安全隐患，而且该过程使反应有效地进行，提高了反应的有效性与转化率，降低了反应的温度，缩短了反应时间，可用于肟基有机硅烷的制备，尤其是适用于反应活性高，对温度敏感的肟基硅烷的合成。

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