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专利状态

功率开关器件保护电路

有效

专利申请进度

申请

2008-05-06

申请公布

2009-01-14

授权

2010-12-15

预估到期

2028-05-06

专利基础信息

申请号	CN200810100552.4	申请日	2008-05-06
申请公布号	CN101345405A	申请公布日	2009-01-14
授权公布号	CN101345405B	授权公告日	2010-12-15
分类号	H02H3/08;H01L23/62
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	合肥同智机电控制技术有限公司
申请人地址	安徽省合肥市高新区永和路66号

专利法律状态

2014-11-19

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):H02H3/08；变更事项:专利权人；变更前:合肥同智机电控制技术股份有限公司；变更后:合肥同智机电控制技术有限公司；变更事项:地址；变更前:230088 安徽省合肥市高新区天智路19号；变更后:230088 安徽省合肥市高新区永和路66号
2010-12-15

授权

状态信息

授权
2010-10-27

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移IPC(主分类):H02H 3/08变更事项:申请人变更前:合肥同智科技发展有限公司变更后:合肥同智机电控制技术股份有限公司变更事项:地址变更前:230088 安徽省合肥市高新区天智路19号变更后:230088 安徽省合肥市高新区天智路19号登记生效日:20100908
2009-03-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2009-01-14

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种功率开关器件保护电路，包括有功率管驱动芯片，功率管驱动芯片串接可控恒流源和光耦的输入端，功率管驱动芯片的驱动输出引脚HO/LO连接功率MOSFET管的驱动电路提供功率MOSFET管的栅源极电压，检测的功率MOSFET管导通压降接有分压电路，分压电路的分压输出接入到可控恒流源的电压基准端，光耦的输出端接检测电路。适用范围广。根据不同的功率MOSFET管导通电阻和保护电流，选择合适的D1、R1和R2即可满足要求。也适用IGBT的保护。

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