制备易脱模纳米压印印章的方法

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专利状态

制备易脱模纳米压印印章的方法

有效

专利申请进度

申请

2012-03-19

申请公布

2012-07-25

授权

2013-10-30

预估到期

2032-03-19

专利基础信息

申请号	CN201210072377.9	申请日	2012-03-19
申请公布号	CN102602124A	申请公布日	2012-07-25
授权公布号	CN102602124B	授权公告日	2013-10-30
分类号	B41C1/00;B41K1/02
分类	印刷；排版机；打字机；模印机〔4〕;
申请人名称	北京惠朗时代科技有限公司
申请人地址	北京市海淀区西直门北大街45号2号楼506室（住宅）

专利法律状态

2016-03-02

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):B41C1/00；登记生效日:20160206；变更事项:专利权人；变更前:河海大学常州校区；变更后:北京惠朗时代科技有限公司；变更事项:地址；变更前:213022 江苏省常州市新北区晋陵北路200号；变更后:100044 北京市海淀区西直门北大街45号2号楼506室(住宅)
2016-03-02

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):B41C1/00；变更事项:发明人；变更前:孙洪文仇浩朱玉峰万萍范瑞；变更后:韩卫兵
2013-10-30

授权

状态信息

授权
2012-09-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):B41C1/00；申请日:20120319
2012-07-25

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种制备易脱模纳米压印印章的方法，该方法的工艺步骤如下：a、利用低熔点的金属加工形成原始印章；b、将原始印章隔空倒置，对原始印章凸起部分的根部、中部和顶端分别采用数量逐渐增加的加热热源进行加热，使得印章凸起部分的顶端比根部尖；c、冷却定形后，得到该纳米压印印章。本发明工艺过程比较简单方便，而且有利于纳米压印时脱模。

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