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专利状态
一种NORFlash坏点补偿的方法
有效
专利申请进度
申请
2020-11-06
申请公布
2021-03-23
授权
2023-02-03
预估到期
2040-11-06
专利基础信息
申请号 CN202011229468.X 申请日 2020-11-06
申请公布号 CN112540723A 申请公布日 2021-03-23
授权公布号 CN112540723B 授权公告日 2023-02-03
分类号 G06F3/06;G06F11/14
分类 计算;推算;计数;
申请人名称 深圳市民德电子科技股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区高新区中区科技园工业厂房25栋1段5层(1)号
专利法律状态
  • 2023-02-03
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-03-23
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种NOR Flash坏点补偿的方法,包括固件存储步骤、固件加载步骤以及固件纠错步骤;其中,固件纠错步骤包括:完成固件加载后,固件纠错开始,加载纠错码表;通过纠错码表对固件数据的完整性进行检测,若检测到固件被破坏,则根据纠错码表逐个对纠错单元的固件数据进行纠正,并对纠错单元进行纠正,建立纠错单元与备份单元的映射关系,填充至映射集合中;将纠正后的固件数据保存于与纠错单元具有映射关系的备份单元中,并将新的映射集合保存于映射集合区域中,固件纠正完成。通过采用本发明的NOR Flash坏点补偿的方法,可以在NOR Flash出现坏点时,使用新的备份单元进行替换,确保数据完整无损,提高数据使用的可靠性。