一种曝光机的曝光强度调节电路

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专利状态

一种曝光机的曝光强度调节电路

有效

专利申请进度

申请

2019-04-11

授权

2019-11-15

预估到期

2029-04-11

专利基础信息

申请号	CN201920481618.2	申请日	2019-04-11
授权公布号	CN209640675U	授权公告日	2019-11-15
分类号	G03F7/20;H05B33/08
分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
申请人名称	深圳惠格浩电子有限公司
申请人地址	广东省清远市佛冈县石角镇三八莲塘二七村金鱼山工业区自编3区

专利法律状态

2023-12-29

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):G03F7/20；专利号:ZL2019204816182；登记生效日:20231214；变更事项:专利权人；变更前权利人:深圳惠格浩电子有限公司；变更后权利人:清远惠豪科技有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:518105 广东省深圳市宝安区燕罗街道罗田社区龙山八路2号G栋101、K栋、H栋101、L、M栋；变更后权利人:511500 广东省清远市佛冈县石角镇三八莲塘二七村金鱼山工业区自编3区
2019-11-15

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种曝光机的曝光强度调节电路，包括开关电源、MCU、三极管Q2、场效应管Q1、二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3及多个UVLED，所述多个UVLED包括正极接线端和负极接线端，所述开关电源的输出端同时连接电阻R1的一端、UVLED的正极接线端及二极管D1的负极，所述UVLED的负极接线端同时连接二极管D1的正极及场效应管Q1的漏极，所述场效应管Q1的栅极同时连接电阻R1的另一端及三极管Q2的集电极，所述场效应管Q1的源极和三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的基极同时连接电阻R2和电阻R3的一端，所述电阻R2的另一端连接5V电源，所述电阻R3的另一端连接至所述MCU的控制端。本实用新型降低了曝光机的制造成本，提高了曝光控制精度。

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