支持大于4GB非线性闪存的方法及装置

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专利状态

支持大于4GB非线性闪存的方法及装置

有效

专利申请进度

申请

2016-09-28

申请公布

2018-04-03

授权

2021-08-10

预估到期

2036-09-28

专利基础信息

申请号	CN201610861927.3	申请日	2016-09-28
申请公布号	CN107870736A	申请公布日	2018-04-03
授权公布号	CN107870736B	授权公告日	2021-08-10
分类号	G06F3/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	龙芯中科技术股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼

专利法律状态

2021-08-10

授权

状态信息

授权
2021-02-05

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G06F3/06；变更事项:申请人；变更前:龙芯中科技术有限公司；变更后:龙芯中科技术股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100095 北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼；变更后:100095 北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼
2018-05-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F3/06；申请日:20160928
2018-04-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置。该方法包括：将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；接收第一指令；根据第一指令调用对应的函数，判断第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，第一阈值大于32位；当第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对NAND FLASH芯片进行访存。本发明实施例使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。

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