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专利状态
芯片及芯片的制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-01-15
申请公布
2020-09-22
授权
2023-10-17
预估到期
2039-01-15
专利基础信息
申请号
CN201980000113.2
申请日
2019-01-15
申请公布号
CN111699551A
申请公布日
2020-09-22
授权公布号
CN111699551B
授权公告日
2023-10-17
分类号
H01L23/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址
广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
专利法律状态
2023-10-17
授权
状态信息
授权
2020-10-20
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/00;申请日:20190115
2020-09-22
公布
状态信息
公布
摘要
一种芯片及芯片的制造方法。芯片包括芯片本体(10),芯片本体(10)包括:衬底(101)、器件层(102)和多孔硅结构,器件层(102)位于衬底(101);多孔硅结构设置于衬底(101)上,多孔硅结构用于与化学开盖溶液反应以破坏芯片本体(10)。所述芯片,作为化学开盖溶液的硝酸与多孔硅结构反应,以破坏芯片本体,防止芯片内存储的信息被破解和窃取,提高芯片的安全性。
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