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专利状态
芯片及芯片的制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-01-15
申请公布
2020-09-22
授权
2023-10-17
预估到期
2039-01-15
专利基础信息
申请号 CN201980000113.2 申请日 2019-01-15
申请公布号 CN111699551A 申请公布日 2020-09-22
授权公布号 CN111699551B 授权公告日 2023-10-17
分类号 H01L23/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
专利法律状态
  • 2023-10-17
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-10-20
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/00;申请日:20190115
  • 2020-09-22
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种芯片及芯片的制造方法。芯片包括芯片本体(10),芯片本体(10)包括:衬底(101)、器件层(102)和多孔硅结构,器件层(102)位于衬底(101);多孔硅结构设置于衬底(101)上,多孔硅结构用于与化学开盖溶液反应以破坏芯片本体(10)。所述芯片,作为化学开盖溶液的硝酸与多孔硅结构反应,以破坏芯片本体,防止芯片内存储的信息被破解和窃取,提高芯片的安全性。