芯片电极开窗的方法和芯片

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专利状态

芯片电极开窗的方法和芯片

有效

专利申请进度

申请

2019-11-01

申请公布

2020-04-10

授权

2023-10-20

预估到期

2039-11-01

专利基础信息

申请号	CN201980002858.2	申请日	2019-11-01
申请公布号	CN110998851A	申请公布日	2020-04-10
授权公布号	CN110998851B	授权公告日	2023-10-20
分类号	H01L27/146
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层

专利法律状态

2023-10-20

授权

状态信息

授权
2020-05-05

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/146；申请日:20191101
2020-04-10

公布

状态信息

公布

摘要

本申请实施例公开了一种芯片电极开窗的方法和芯片，所述方法包括：采用光刻工艺制备芯片上方的第i层功能层，所述第i层功能层不覆盖所述芯片的电极开窗区域，其中，i为小于N的正整数，N为大于1的整数；采用可溶解层填平所述芯片的电极开窗区域；在所述芯片上方的第N‑1层功能层和填平的所述电极开窗区域的上方，采用光刻工艺制备所述芯片上方的第N层功能层，所述第N层功能层不覆盖所述芯片的电极开窗区域；使用溶剂溶解所述可溶解层，得到所述芯片的电极的开窗。本申请实施例的技术方案，能够提高电极开窗效率，从而提高芯片产能。

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