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专利状态

图像传感器及其驱动方法

有效

专利申请进度

申请

2015-07-23

申请公布

2016-01-27

授权

2020-03-20

预估到期

2035-07-23

专利基础信息

申请号	CN201510438854.2	申请日	2015-07-23
申请公布号	CN105282462A	申请公布日	2016-01-27
授权公布号	CN105282462B	授权公告日	2020-03-20
分类号	H04N5/369;H04N5/374;H04N5/378
分类	电通信技术;
申请人名称	天马微电子股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙华区民治街道北站社区留仙大道天马大厦1918

专利法律状态

2020-03-20

授权

状态信息

授权
2019-12-13

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移IPC(主分类):H04N 5/369登记生效日:20191125变更前申请人:天马日本株式会社地址:日本神奈川县变更后申请人:天马微电子股份有限公司地址:广东省深圳市龙华区民治街道北站社区留仙大道天马大厦1918
2019-12-13

著录事项变更

状态信息

著录事项变更IPC(主分类):H04N 5/369变更前申请人:NLT科技股份有限公司地址:日本神奈川县变更后申请人:天马日本株式会社地址:日本神奈川县
2017-03-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H04N 5/369申请日:20150723
2016-01-27

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及图像传感器及其驱动方法。在对各像素设置有放大电路的图像传感器中，存在如下问题：当使用非晶薄膜半导体作为构成放大电路的晶体管时，由于电压始终连续地施加到晶体管的源极和栅极之间，因此晶体管的阈值电压发生波动，由此信号电压发生波动。在像素积累信号的积分时段中，控制构成放大电路的TFT的栅极‑源极电位，使得栅极端子电压比源极端子电压小，并在像素输出信号的读出时段中，控制构成放大电路的TFT的栅极‑源极电位，使得栅极端子电压比源极端子电压大。

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