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专利状态

一种MoO

有效

专利申请进度

申请

2018-08-22

申请公布

2018-12-21

授权

2020-09-15

预估到期

2038-08-22

专利基础信息

申请号	CN201810957464.X	申请日	2018-08-22
申请公布号	CN109065874A	申请公布日	2018-12-21
授权公布号	CN109065874B	授权公告日	2020-09-15
分类号	H01M4/36
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市创世达实业股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙岗区南湾街道布澜路联创科技园4栋3楼

专利法律状态

2020-09-15

授权

状态信息

授权
2019-08-16

著录事项变更

状态信息

著录事项变更IPC(主分类):H01M 4/36变更前申请人:深圳市创世达实业有限公司地址:518000 广东省深圳市龙岗区南湾街道布澜路联创科技园4栋3楼变更后申请人:深圳市创世达实业股份有限公司地址:518000 广东省深圳市龙岗区南湾街道布澜路联创科技园4栋3楼
2019-01-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36
2018-12-21

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，具体为一种MoO3/rGO‑N纳米复合材料及其制备方法和其在锂离子电池中的应用。本发明的MoO3/rGO‑N纳米复合材料中，三维氮掺杂还原氧化石墨烯复合物片层为三氧化钼的生长提供了基底，可以使三氧化钼均匀地分散、生长在三维氮掺杂还原氧化石墨烯的表面，这种结构的MoO3/rGO‑N纳米复合材料结合了三维氮掺杂还原氧化石墨烯导电性好和MoO3纳米片离子、电子传输距离短的优点，既可以提高材料整体的导电性能，也可有效地缓解三氧化钼纳米颗粒在充电/放电过程中的体积变化和聚集，保持良好的结构完整性，具有良好的电化学性能，能够作为锂电池的负极材料使用。本发明制备方法工艺简单、产率高、易扩大生产。

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