晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构及其制备方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2016-03-25

申请公布

2016-06-01

授权

2017-08-08

预估到期

2036-03-25

专利基础信息

申请号	CN201610180452.1	申请日	2016-03-25
申请公布号	CN105633218A	申请公布日	2016-06-01
授权公布号	CN105633218B	授权公告日	2017-08-08
分类号	H01L31/18;H01L31/0224
分类	基本电气元件;
申请人名称	无锡尚德太阳能电力有限公司
申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术开发区新华路9号

专利法律状态

2017-08-08

授权

状态信息

授权
2016-06-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/18；申请日:20160325
2016-06-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构及其制备方法，其特征是：包括硅衬底，在硅衬底表面覆盖第一钝化层和第二钝化层，在硅衬底上设有槽体，槽体由第一钝化层的表面延伸至硅衬底内部，第二钝化层覆盖第一钝化层、槽体的侧壁和底部，在槽体内嵌设有电极。所述制备方法包括以下步骤：第一步，在硅衬底表面生长第一钝化层；第二步，使用激光在硅衬底上形成槽体，槽体由第一钝化层表面延伸至硅衬底内部；第三步，在第一钝化层表面生成第二钝化层，第二钝化层覆盖第一钝化层的表面以及槽体的侧壁和底部；第四步，在槽体中金属化形成电极，使电极嵌在硅衬底中。本发明钝化接触电极，防止金属扩散至硅衬底内形成复合中心，实现高效。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信