C波段用微波介质陶瓷及其制造方法

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专利状态

C波段用微波介质陶瓷及其制造方法

失效

专利申请进度

申请

2005-10-17

申请公布

2006-05-31

授权

2008-05-21

预估到期

2025-10-17

专利基础信息

申请号	CN200510032271.6	申请日	2005-10-17
申请公布号	CN1778765A	申请公布日	2006-05-31
授权公布号	CN100389091C	授权公告日	2008-05-21
分类号	C04B35/49;C04B35/622;H01B3/12
分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
申请人名称	高斯贝尔数码科技股份有限公司
申请人地址	湖南省郴州市苏仙区白露塘镇高斯贝尔产业园

专利法律状态

2023-10-27

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):C04B 35/49；专利号:ZL2005100322716；申请日:20051017；授权公告日:20080521；终止日期:
2011-06-15

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):C04B 35/49；变更事项:专利权人；变更前:郴州高斯贝尔数码科技有限公司；变更后:高斯贝尔数码科技股份有限公司；变更事项:地址；变更前:423000 湖南省郴州市石盖塘高斯贝尔工业园；变更后:423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇高斯贝尔产业园；登记生效日:20110510
2008-05-21

授权

状态信息

授权
2006-07-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2006-05-31

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种C波段用微波介质陶瓷及其制造方法，具有(Zr，Sn)TiO₄系统材料，其特征在于，外加添加剂为ZnO、La₂O₃、Pb₂O₃、CuO、SiO₂，其制造方法是，采用ZrO₂、SnO₂和TiO₂组分，外加ZnO、La₂O₃添加剂后，将原料经球磨机球磨，压滤后放入900-1300℃的高温炉煅烧时间为3-5小时；再将煅烧料粉碎，加入添加剂Pb₂O₃、CuO、SiO₂，加PVA水溶液造粒；干压成型，于1250-1400℃下保温1～5小时，排胶烧结一次完成。本发明介电常数适中，品质因数Q值高，温度稳定性好，主要用于(300MHz-30000MHz)的微波范围的电缆电视、卫星通信等系统应用领域。

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