一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法及存储介质

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专利状态

一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法及存储介质

有效

专利申请进度

申请

2020-01-02

申请公布

2020-05-26

授权

2023-04-18

预估到期

2040-01-02

专利基础信息

申请号	CN202010003002.1	申请日	2020-01-02
申请公布号	CN111200840A	申请公布日	2020-05-26
授权公布号	CN111200840B	授权公告日	2023-04-18
分类号	H04W24/08;H04W52/14
分类	电通信技术;
申请人名称	广东九联科技股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市惠澳大道惠南高新科技产业园惠泰路5号

专利法律状态

2023-04-18

授权

状态信息

授权
2020-05-26

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及NB‑IOT技术领域，具体公开了一种针对NB‑IOT设备的发射功率点校准方法及存储介质，所述方法先对常规校准后的RF增益参数‑功率波形图进行同一功率段赋予相同值的处理，然后根据处理后的RF增益参数‑功率波形图调整常规校准后的TX增益参数‑功率波形图，从而使得每一功率段的电压可用二次函数近似表示，再通过每段选取用于校准的三个功率点计算出每一功率段二次函数的表达式，最后将具体的功率点代入其对应的二次函数表达式后即可求出对应的基带TX增益参数值，由此只需要校准不超过三分之一的功率点便可得到所有功率点的基带TX增益参数值，大量减少校准时间，提高校准效率，且控制误差在接受范围内，校准的质量也得到保证。

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