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专利状态

一种flash数据读写电路

有效

专利申请进度

申请

2020-12-22

授权

2021-08-03

预估到期

2030-12-22

专利基础信息

申请号	CN202023112526.9	申请日	2020-12-22
授权公布号	CN213877589U	授权公告日	2021-08-03
分类号	G11C16/10;G11C16/22;G11C16/26
分类	信息存储;
申请人名称	新开普电子股份有限公司
申请人地址	河南省郑州市高新技术产业开发区迎春街18号

专利法律状态

2021-08-03

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种flash数据读写电路，属于flash数据读写技术领域。该flash数据读写电路包括：单片机、模拟开关芯片和至少两个flash芯片；其中，单片机的数据引脚通过数据总线同时连接每个flash芯片的数据引脚；单片机的地址引脚通过地址总线同时连接每个flash芯片的地址引脚；单片机的写使能引脚同时连接每个flash芯片的写使能引脚；单片机的读使能引脚连接模拟开关芯片的输入引脚，并通过模拟开关芯片的输出引脚分别连接每个flash芯片的读使能引脚，单片机通过控制模拟开关芯片的输出，使单片机的读使能引脚与其中一个flash芯片的读使能引脚接通。利用本实用新型的flash数据读写电路能同时将数据写入多个flash中，并能从其中任一个flash中读数据，起到数据的保护作用。

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