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专利状态
一种flash数据读写电路
有效
专利申请进度
申请
2020-12-22
授权
2021-08-03
预估到期
2030-12-22
专利基础信息
申请号 CN202023112526.9 申请日 2020-12-22
授权公布号 CN213877589U 授权公告日 2021-08-03
分类号 G11C16/10;G11C16/22;G11C16/26
分类 信息存储;
申请人名称 新开普电子股份有限公司
申请人地址 河南省郑州市高新技术产业开发区迎春街18号
专利法律状态
  • 2021-08-03
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型提供了一种flash数据读写电路,属于flash数据读写技术领域。该flash数据读写电路包括:单片机、模拟开关芯片和至少两个flash芯片;其中,单片机的数据引脚通过数据总线同时连接每个flash芯片的数据引脚;单片机的地址引脚通过地址总线同时连接每个flash芯片的地址引脚;单片机的写使能引脚同时连接每个flash芯片的写使能引脚;单片机的读使能引脚连接模拟开关芯片的输入引脚,并通过模拟开关芯片的输出引脚分别连接每个flash芯片的读使能引脚,单片机通过控制模拟开关芯片的输出,使单片机的读使能引脚与其中一个flash芯片的读使能引脚接通。利用本实用新型的flash数据读写电路能同时将数据写入多个flash中,并能从其中任一个flash中读数据,起到数据的保护作用。