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专利状态

一种MOS管过压保护电路

有效

专利申请进度

申请

2022-07-06

授权

2022-11-08

预估到期

2032-07-06

专利基础信息

申请号	CN202221725713.0	申请日	2022-07-06
授权公布号	CN217769469U	授权公告日	2022-11-08
分类号	H02H7/12;H02H3/20
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	深圳市和宏实业股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市福田区深南大道1006号深圳国际创新中心（福田科技广场）A栋23层

专利法律状态

2022-11-08

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种MOS管过压保护电路，包括MOS管Q3、三极管Q1、三极管Q2、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13，电阻R10的两端分别与MOS管Q3的源极与漏极连接，电阻R12的一端与VCC端连接，另一端与电阻R13的一端连接，三极管Q2的基极与电阻R12连接，电阻R11的一端与电阻R12连接，另一端与三极管Q1的基极连接，MOS管Q3的源极与VCC端连接，MOS管Q3的栅极与三极管Q1的集电极连接；通过电阻R12和电阻R13形成了电压取样单元，当电压取样单元的取样电压值达到第二预设阈值，使MOS管Q3也处于截止状态，断开给负载RL供电，保证在高压状态不会损坏后端电路元器件。

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