中芯国际集成电路制造（上海）有限公司发明专利、实用新型、外观专利-企业知识产权-品牌网

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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

企业知识产权

品牌专利信息(186)
申请号	类型	专利
CN201910579446.7	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN201910539726.5	发明专利	CMOS全加器和多位全加器
CN202010760746.8	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN201911382899.7	发明专利	工艺传感器
CN201910800076.5	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN202010762878.4	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN202010762890.5	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN202010762891.X	发明专利	半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法
CN201911019190.0	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN202010819887.2	发明专利	半导体结构的及其形成方法
CN202011587896.X	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN202010146444.1	发明专利	非易失性存储电路及其存储方法和读取方法
CN201910368379.4	发明专利	半导体器件及其形成方法
CN201911174025.2	发明专利	半导体结构的形成方法、半导体器件
CN202010819896.1	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN202010568332.5	发明专利	半导体器件及其形成方法
CN202010933006.X	发明专利	掩膜及有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法
CN201911174134.4	发明专利	半导体结构的形成方法、晶体管
CN201910999419.5	发明专利	半导体结构及其形成方法
CN201911144369.9	发明专利	一种半导体器件及形成方法

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