一种ITO烧结靶材的制备方法

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专利状态

一种ITO烧结靶材的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-26

申请公布

2018-12-07

授权

2021-06-11

预估到期

2038-06-26

专利基础信息

申请号	CN201810671772.6	申请日	2018-06-26
申请公布号	CN108947520A	申请公布日	2018-12-07
授权公布号	CN108947520B	授权公告日	2021-06-11
分类号	C04B35/457;C04B35/622;C23C14/35
分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
申请人名称	株洲冶炼集团股份有限公司
申请人地址	湖南省株洲市天元区渌江路10号

专利法律状态

2021-06-11

授权

状态信息

授权
2019-01-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC（主分类）:C04B 35/457
2018-12-07

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种ITO烧结靶材的制备方法，包括以下步骤：将In2O3粉末和SnO2粉末一起经湿法球磨，得ITO浆料，其中，In2O3粉末和SnO2粉末的原始粒径比为1：（1.0‑2.0），In2O3粉末的原始粒径为50nm‑200nm；将所得ITO浆料经喷雾造粒，得ITO造粒粉体；将所得ITO造粒粉体装入冷压模具中，经振动和抽真空操作后，再经一步冷等静压成型，得ITO坯体；将所得ITO坯体在氧气气氛下进行烧结，即得所述ITO烧结靶材。该制备方法所得ITO烧结靶材具有高密度、低电阻率和高强度的优异性质，解决现有技术的ITO烧结靶材的制备方法工艺流程复杂、成本高、对环境污染较大的问题。

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