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专利状态
一种单晶型阴阳离子共掺杂镍镁二元无钴前驱体、正极材料及制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-06-02
申请公布
2020-09-18
授权
2021-11-23
预估到期
2040-06-02
专利基础信息
申请号
CN202010488196.9
申请日
2020-06-02
申请公布号
CN111682197A
申请公布日
2020-09-18
授权公布号
CN111682197B
授权公告日
2021-11-23
分类号
H01M4/525;H01M4/485;C30B29/22;C30B1/10
分类
基本电气元件;
申请人名称
格林美股份有限公司
申请人地址
广东省深圳市宝安区宝安中心区兴华路南侧荣超滨海大厦A栋20层2008号房
专利法律状态
2021-11-23
授权
状态信息
授权
2020-10-20
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/525
2020-09-18
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种单晶型阴阳离子共掺杂镍镁二元无钴前驱体、正极材料以及制备方法。本发明的一种单晶型阴阳离子共掺杂镍镁二元无钴前驱体,其化学式为NixMgyM(1‑x‑y)Nz(OH)2‑z,其中x+y=1且0.9≤x≤0.95,0.05≤y≤0.1,0<z≤0.02;M为金属元素Al、W、Zr其中的一种,N为非金属元素Br、F、I其中的一种。本发明还公开了采用该前驱体制备的正极材料,所述前驱体、正极材料的制备方法。本发明材料完全去钴,降低了原料成本,并且在保证高容量的前提下,提高材料的结构稳定性及热稳定性,从而提高电池的循环性能及安全性。
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