半导体器件及其制备方法和通信设备

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专利状态

半导体器件及其制备方法和通信设备

有效

专利申请进度

申请

2020-04-03

申请公布

2021-10-26

授权

2024-03-15

预估到期

2040-04-03

专利基础信息

申请号	CN202010260213.3	申请日	2020-04-03
申请公布号	CN113555449A	申请公布日	2021-10-26
授权公布号	CN113555449B	授权公告日	2024-03-15
分类号	H01L31/0203;H01L31/18;H01L31/0232
分类	基本电气元件;
申请人名称	华为技术有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

专利法律状态

2024-03-15

授权

状态信息

授权
2021-10-26

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供一种半导体器件及其制备方法和通信设备。所述半导体器件包括半导体基板及设于所述半导体基板上的光电器件和传导件，所述光电器件和所述传导件耦合对准，所述半导体基板的安装面设有至少三个限位支撑柱，其中至少三个限位支撑柱围设形成至少一个三角形区域，所述光电器件包括与所述限位支撑柱一一对应的限位槽，所述限位支撑柱远离所述安装面的端部收容在所述限位槽内，通过与所述限位槽的内壁接触以支撑及限位所述光电器件。本申请的半导体器件用以避免有源芯片在高温焊接下会产生位移，导致焊接后的有源芯片与无源器件的耦合对准精度较差的问题。

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