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专利状态
一种辐射成像探测器
有效
专利申请进度
申请
2007-12-19
申请公布
2008-06-11
授权
2011-05-11
预估到期
2027-12-19
专利基础信息
申请号
CN200710302018.7
申请日
2007-12-19
申请公布号
CN101196480A
申请公布日
2008-06-11
授权公布号
CN101196480B
授权公告日
2011-05-11
分类号
G01T1/20
分类
测量;测试;
申请人名称
北京中盾安民分析技术有限公司
申请人地址
北京市海淀区首体南路1号
专利法律状态
2011-05-11
授权
状态信息
授权
2008-08-06
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效
2008-06-11
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种辐射成像探测器,包括若干个探测单元以双列相对交错方式排列而成,所述探测单元采用锗酸铋晶体与光电倍增管耦合的方式,具体包括有锗酸铋晶体、晶体套筒、光电倍增管、管套筒、管座及电路模块和接口底盘,其中所述光电倍增管、管座及电路模块设于管套筒内,所述锗酸铋晶体外表包覆晶体套筒并与管套筒内的光电倍增管耦合,所述管套筒的另一端设有上述接口底盘,所述光电倍增管与该接口底盘之间通过上述管座及电路模块相连接。该种辐射成像探测器,适用于低强度辐射源条件下的辐射成像探测,可降低对环境的辐射影响,减小对相关人员的电离辐射伤害,且具有很好的抗恶劣气候环境的能力,制造成本低,具有很好的经济效益和社会效益。
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